Согласно слухам, Nvidia готовит мощный апгрейд видеокарты RTX 5060 Ti. Ожидается два варианта с 8 Гбайт и 16 Гбайт памяти GDDR7. Также стали известны финальные характеристики GPU.
Известный инсайдер wxnod из X сообщил, что Nvidia и её партнёры планируют выпустить видеокарту GeForce RTX 5060 Ti 16 апреля. Параллельно портал VideoCardz опубликовал предполагаемые финальные характеристики новой модели, основанной на архитектуре Blackwell.
Согласно утечке, GeForce RTX 5060 Ti выйдет в двух вариантах: с 8 Гбайт и 16 Гбайт памяти GDDR7. И в той и другой версии, вероятно, будет использоваться графический процессор GB206-300 с 4608 ядрами CUDA и 128-битной шиной памяти. Пропускная способность памяти составит 448 Гбайт/с, что на 55% больше, чем у RTX 4060 Ti. Энергопотребление видеокарты ожидается на уровне 180 Вт.
Благодаря увеличению количества ядер CUDA, более высокой тактовой частоте, оптимизациям новой микроархитектуры Blackwell и улучшенному программному обеспечению, RTX 5060 Ti должна заметно превзойти своего предшественника – RTX 4060 Ti. Однако у неё есть серьёзный конкурент внутри линейки Nvidia.
Этим конкурентом является GeForce RTX 5070, построенная на более мощном графическом процессоре GB205 с 6144 ядрами CUDA, производительность которой будет значительно выше, и RTX 5060 Ti вряд ли сможет с ней соперничать.
Как отмечают эксперты, успех RTX 5060 Ti будет зависеть от её цены. Если RTX 5070 выйдет с рекомендованной ценой $549, а RTX 5060 Ti будет стоить $499, то разница в $50 может сделать старшую модель более привлекательной. Однако ситуация может осложниться тем, что на рынке появятся видеокарты AMD серии Radeon RX 9070.
Что касается совместимости, то, если утечки верны, RTX 5060 Ti потребляет 180 Вт и может питаться как через один 16-контактный разъём, так и через 8-контактный PCIe (150 Вт) в сочетании с энергией от слота (30 Вт). В свою очередь, RTX 5070 требует 250 Вт, что означает необходимость более мощного блока питания.
В любом случае, пока Nvidia официально не подтвердила характеристики и дату выхода, вся представленная информация остаётся на уровне инсайдерских слухов.
Компания Asus обновила механизм Q-Release Slim на материнских платах, удалив металлическую рамку, которая, по утверждению пользователей, царапала контакты видеокарт.
Источник изображения: Asus / Newegg
Asus без лишнего шума внесла изменения в конструкцию механизма Q-Release Slim на новой материнской плате ROG Crosshair X870E Apex. Как заметили обзорщики, компания убрала металлический элемент, расположенный между слотами питания и передачи данных, который ранее подозревали в повреждении контактов PCIe на видеокартах. Об это сообщил ресурс Tom's Hardware.
Ранее в этом году Asus столкнулась с критикой со стороны энтузиастов, когда выяснилось, что механизм Q-Release Slim может оставлять царапины на коннекторах PCIe у видеокарт. Хотя эти повреждения не влияли на производительность и надёжность устройств, обладатели дорогих материнских плат и видеокарт, были явно недовольны дефектом.
Компания прокомментировала ситуацию, заявив, что царапины являются следствием естественного износа, особенно если видеокарта снимается и устанавливается более 60 раз. При этом Asus не стала утверждать, что пользователи делают что-либо не правильно, но опубликовала официальные инструкции по безопасным действиям для минимизации риска повреждения GPU.
Однако компания Gigabyte публично высмеяла Asus, заявив, что их функция EZ Latch Plus не царапает контакты видеокарт даже после 100 циклов использования. В подтверждение своих слов Gigabyte опубликовала видео.
Asus заверила, что любые проблемы, вызванные этими царапинами, подпадают под гарантию и владельцы испорченных видеокарт могут обратиться за поддержкой. При этом подразделение компании в Китае подтвердило, что Asus уже работает над исправлением конструкции.
Хотя Asus официально не объявляла об изменениях в конструкции Q-Release Slim в США, новая материнская плата, поступившая в продажу на Newegg, уже получила обновленный слот PCIe. Пока нет тестов, подтверждающих, что царапины больше не появляются, но устранение металлического элемента, контактировавшего с разъёмом GPU, вероятно решить проблему.
Сообщается, что отзыв продукции скорее всего не состоится, так как проблема затрагивает только оверклокеров, которые часто снимают и устанавливают видеокарты. Для большинства пользователей, установивших GPU один раз, этот дефект не принципиален.
Используя бисмут оксиселенид (Bi₂O₂Se), китайские исследователи создали транзистор, который работает быстрее и потребляет меньше энергии, чем современные аналоги.
Источник изображения: TSMC
Исследовательская группа Пекинского университета представила результаты разработки первого в мире 2D-транзистора GAAFET, не содержащего кремния. Это устройство, созданное на основе бисмута (bismuth), считается самым быстрым и энергоэффективным транзистором на сегодняшний день. Исследование, опубликованное в журнале Nature, возглавляли профессора Пэн Хайлин (Peng Hailin) и Цю Чэнгуан (Qiu Chenguang).
как собщает Tom's Hardware, команда из Пекина разработала «многослойную структуру GAAFET на основе монокристаллического двухмерного материала в масштабе пластины». Этот транзистор превосходит существующие технологии по скорости и эффективности. «Это самый быстрый и эффективный транзистор из когда-либо созданных, — заявил Пэн. — Если инновации в чипах на основе существующих материалов можно назвать коротким путём, то наша разработка транзисторов на основе двухмерных материалов — это как смена полосы движения», — говорится в заявлении на сайте Пекинского университета.
Исследователи утверждают, что их транзистор был протестирован для сравнения с продуктами таких компаний, как Intel, TSMC и Samsung. При одинаковых условиях эксплуатации устройство показало лучшие результаты, чем кремниевые аналоги мировых лидеров полупроводниковой отрасли.
Чтобы понять суть разработки, стоит разобраться в технологии GAAFET. Транзисторы с охватывающим затвором (gate-all-around field-effect transistors, GAAFET) представляют собой следующее поколение после MOSFET и FINFET. Эволюция транзисторов связана с улучшением контроля взаимодействия источника и затвора. В частности, MOSFET имеет контакт затвора с источником в одной плоскости, FINFET — в трёх, а GAAFET полностью окружает источник затвором, что и отражено в названии. Для сравнения можно привести схему от Samsung, где также представлена их версия GAAFET — MBCFET.
Отметим, что технология GAAFET сама по себе не нова и уже используется для производства микрочипов на техпроцессах 3 нм и ниже. Однако ключевая инновация Пекинского университета заключается в двухмерной структуре транзистора, реализованной благодаря использованию материала, отличного от кремния. Вместо традиционного кремния учёные применили бисмут оксиселенид (Bi₂O₂Se), который давно изучается для применения в техпроцессах менее 1 нм.
Bi₂O₂Se — это полупроводниковый материал, который обладает свойствами двухмерного полупроводника. Такие материалы более гибкие и прочные в малых масштабах по сравнению с кремнием, который теряет подвижность носителей заряда уже на уровне 10 нм. Переход от кремния к бисмуту и создание многослойных двухмерных транзисторов на фоне санкций и ограничений со стороный США открывают новые перспективы для полупроводниковой отрасли, особенно для Китая, стремящегося занять лидирующие позиции в этой сфере.
Китай оказался отрезан от доступа к передовым инструментам, таким как EUV-литография, необходимым для производства чипов на современных техпроцессах, которые уже почти десятилетие используются в других странах. В ответ Китай активно инвестирует в исследования, которые позволят не просто догнать конкурентов, а совершить технологический скачок. Двухмерные GAAFET-транзисторы — это один из примеров таких усилий.
