В Китае разработана самая быстрая в мире флеш-память со скоростью записи 400 пикосекунд

Китайские учёные из университета Fudan представили революционное решение в сфере хранения цифровой информации. Их чип PoX способен выполнять запись данных за невероятные 400 пикосекунд, опережая на порядок существующие устройства.

Созданная технология ликвидирует базовое противоречие современных накопителей. Классическая оперативная память типа DRAM и SRAM обеспечивает быструю работу (1-10 наносекунд), но теряет содержимое при отключении электропитания. Флеш-накопители, напротив, сохраняют информацию постоянно, однако демонстрируют значительно более низкую производительность. Разработка китайских специалистов объединяет лучшие возможности обоих типов запоминающих устройств, то есть постоянство хранения данных и экстраординарную скорость их обработки.

«Применение искусственного интеллекта для тонкой настройки параметров тестирования позволило нам достичь значительного прогресса и подготовить почву для практического использования этой технологии», — подчеркнул профессор Чжоу Пэн (Zhou Peng), возглавляющий исследовательский коллектив. Особенно актуальна эта разработка для систем машинного обучения, где текущие методы хранения данных создают «узкое» место, расходуя основные энергетические ресурсы на перемещение информации вместо ее непосредственной обработки.

Революционная скорость работы PoX достигается благодаря применению двухмерного графена Dirac, заменившего традиционный кремний. Исследователи модернизировали архитектуру запоминающего элемента, реализовав принцип 2D суперинжекции, то есть по факту бесконечного потока зарядов в слой памяти, позволив, таким образом, преодолеть фундаментальные барьеры классической технологии.

Первый этап испытаний нового чипа успешно завершен и его функциональность подтверждена. По планам предстоит внедрение разработки в мобильные устройства и компьютерную технику. По оценкам специалистов, данная технология может совершить качественный скачок в развитии потребительской электроники, решив проблемы перегрева и задержек при работе с локальными ИИ-системами.

Источник: Tom's Hardware